Электронные блоки диода барьера Шотткы держателя поверхности БАС86 50В

Все продукты

Диод термистора (17)

Диод пуска ДЕПАРТАМЕНТА ИММИГРАЦИИ И ГРАЖДАНСТВА (13)

Общецелевой диод выпрямителя тока (25)

Стабилитрон (31)

Диод усмирителя напряжения тока ТВ переходный (10)

высоковольтный диод (11)

Диод СИДАК (10)

быстрый диод выпрямителя тока спасения (17)

ультра быстрый диод выпрямителя тока спасения (10)

диод выпрямителя тока высокой эффективности (10)

высокоскоростной диод переключения (23)

Диод Шотки (39)

небольшой диод шотткы сигнала (16)

Выпрямитель по мостиковой схеме диода (22)

Термистор NTC (16)

Оставьте нам сообщение

Name: Электронные блоки диода барьера Шотткы держателя поверхности БАС86 50В
Brand: XUYANG
SKU: BAS86

контакт

Подробное описание продукта

номер детали:	BAS86	VR:	50V
Пакет:	СОД-80К	Повторяющийся пиковый пропускной ток:	500mA
Пропускной ток:	200mA	Тип:	Диод Шотки
Высокий свет:	1n914 switching diode , 1n914 blocking diode

Барьерные диоды Шоттки для поверхностного монтажа BAS86 50V Электронные компоненты

особенности

1. Встроенное защитное кольцо от статического разряда

2. Очень низкое прямое напряжение

Приложения:

Приложения, где требуется очень низкое прямое напряжение

Абсолютные максимальные рейтинги

Т = 25 ℃

параметр	Условия испытаний	Условное обозначение	Ценность	Ед. изм
Обратное напряжение		VR	50	В
Пиковый прямой импульсный ток	tp = 10 мс	IFSM	5
Повторяющийся пиковый прямой ток	tp≤1s	IFRM	500	мА
Прямой ток		ЕСЛИ	200	мА
Средний прямой ток		ИФАВ	200	мА
Температура перехода		Tj	125	℃
Диапазон температур хранения		Tstg	-65 ~ + 150	℃
Соединение окружающего	на плате ПК 50ммx50ммx1.6мм	RthJA	320	K / Вт

Электрические характеристики
Tj = 25 С

параметр	Условное обозначение	Условия испытаний	Min	Typ	Максимум	Ед. изм
Обратное напряжение пробоя	В (БР) Р	ИК = 10 мкА (импульсный)	30			В
Ток утечки	инфракрасный	VR = 25 В		0.2	2	мкА
Прямое напряжение	В.Ф.	Импульсный тест tp <300 мкс ЕСЛИ = 0,1 мА ЕСЛИ = 1 мА ЕСЛИ = 10 мА ЕСЛИ = 30 мА ЕСЛИ = 100 мА		0,5	0,24 0,32 0,4 0.8	В
емкость	Ctot	VR = 1 В, f = 1 МГц			10	пФ
Обратное время восстановления	TRR	ЕСЛИ = 10 мА, ИК = 10 мА ИК = 1 мА			5	нс